160 天然優勢，背靠祖國[第1頁/共6頁]

2004年，海力士和意法半導體在無錫設立12寸晶圓廠，項目總投資20億美金。

但對峙財產鏈的橫向擴大，這是成為半導體強國的必經之路。

客觀而言，財產鏈橫向擴大對於天朝是很難複製的，因為西方列強底子不會對天朝輸出半導體整合電路晶片的核心技術。

4、4、西安市對所得稅征收，前十年全免，後十年半額征收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通根本設施，總的補助金額保守估計在300億元以上。

1995年韓國人再次快速晉升壓強係數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度晉升，同比增速高達96.82%。

當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)和米國德州奧斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。

1992年韓國人64M DRAM略微搶先於日本人和米國人勝利研製後，韓國人並冇有停下科技紅利之有效研發投入。

1992年三星環球第一個勝利研製64M DRAM。64M DRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片麵積為135mm2，整合度為140000000。

彆的，在20億美金總投資以外，無錫市當局還承擔廠房扶植，無錫市當局一共出資3億美圓扶植兩座占地54萬平方米，麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體利用。

1986-1997年，第二次DRAM天下大戰-日韓半導體戰役發作。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器，最為常見的體係內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的根本晶片。

2、2、西安市每年向三星補助水、電、綠化、物流用度5億元。

日本NEC居第二。

2009年第三季度，海力士扭虧為盈。

對天朝大陸市場計謀縱深，日本人又是如何態度？

當三星的西安項目完工以後，2016年東芝就過不下去了，2017年東芝不得不出售存儲部分。

即便天朝諸多企業溢價用钜額資金采辦也是諸多困難。

上世紀90年代，韓國當局主導推出總預算2000億韓元(2.5億美圓)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品質料供應鏈。

從米國SUN公司引進JAVA措置器技術。